CREȘTEREA ȘI CARACTERIZAREA MONOCRISTALELOR DE GaSe: Eu PRIN DIFRACȚIA RAZELOR X ȘI SPECTROSCOPIA RAMAN

Dumitru UNTILA*,**, Igor EVTODIEV*,**, Iuliana CARAMAN*** , Valeriu KANTSER*,** , Nicolae SPALATU****, Liliana DMITROGLO*, Silvia EVTODIEV* , Dorin SPOIALĂ* , Irina ROTARU*, Petru GAȘIN* *Moldova State University **Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies, ASM ***Vasile Alecsandri University of Bacau (Romania) ****Tallinn University of Technology (Estonia)

Rezumat

Monocristalele de GaSe nedopate și dopate cu Eu în cantități de 0.025, 0.05, 0.5, 1.0 și 3.0% at. au fost crescute prin metoda Bridgman din componente elementare Ga, Se și Eu. Structura cristalină și modelele de vibrație a rețelei cristalelor de GaSe:Eu au fost studiate prin difracția razelor X și spectroscopia Raman. Atomii de Eu localizați în spaţiul van der Waals al cristalelor de GaSe:Eu creează legături de valență Eu-Se și restructurează rețeaua hexagonală a compusului GaSe, conducând la formarea cristalitelor de EuGa2Se4. Defectele generate de cristalitele de EuGa2Se4 duc la lărgirea și deplasarea benzilor monofononice de difuzie Raman spre numere de undă mici și, totodată, activează vibraţiile optice longitudinale ale subreţelei EuSe. Cuvinte-cheie: GaSe, dopare, Eu, XRD, Raman.