(As2S3)x-(As2Se3)1-x THIN FILMS FOR GAS SENSING APPLICATION

Serghei DMITREV, Tatiana GOGLIDZE* , Igor DEMENTIEV, Evghenii POCOTILOV, Robert LAD**, John VETELINO** Moldova State University, 60, Mateevici Str., Chişinău, MD-2009, Moldova * ELIRI, Chişinău, MD-2068, Moldova ** University of Maine, Orono, ME 04469-5708, USA

Rezumat

În lucrare sunt prezentate rezultatele elaborării tehnologiei de obţinere şi cercetare a proprietăţilor electrofizice ale straturilor subţiri (As2S3)x-(As2Se3)1-x, destinate în calitate de elemente gazosensibile ale detectoarelor. Straturile subţiri au fost depuse prin metoda evaporării termice în vid ( P=10-5 Torr) pe suporturi dielectrice. Grosimea straturilor depuse varia între 0,5 şi 2 μm. Cercetarea influenţei componenţei materialului sursă şi a unui sir de parametri tehnologici ai depunerii asupra rezistivităţii, concentraţiei capcanelor şi a benzii interzise în straturile obţinute a demonstrat că în dependenţă de mărimea x rezistivitatea se schimbă de la 1010 până la 1014 Ohm·cm, concentraţia capcanelor în regiunea (2,1-7,9)х1016 см-3 şi a benzii interzise ΔEg – de la 1,75 până la 2,35 eV corespunzător. Pentru cercetarea sensibilităţii gazoase faţă de gazele CO şi NO2 prin metoda depunerii consecutive în vid au fost obţinute structurile săndvici de Al/As-S-Se/SnO2. Structurile obţinute au demonstrat o sensibilitate mai pronunţată la NO2, decât la monooxidul de carbon.