DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC

Vasile BOTNARIUC, Leonid GORCEAC, Andrei COVAL, Sergiu VATAVU, Boris CINIC, Corneliu ROTARU, Simion RAEVSCHI Universitatea de Stat din Moldova

Rezumat

Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n + CdS-p-p + InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm 2 și pe homojoncțiuni n + - p- p + InP (1 cm 2 ) constituie 12% și, respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm -2 ). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n + CdS - p- p + InP și 70% pentru homojoncțiunea n + -p-p + InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n + CdS - p- p + InP cu strat epitaxial intermediar (p = 6,510 16 cm -3 ). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS. Cuvinte-cheie: InP, CdS, HVPE, epitaxie, celulă fotovoltaică, fotodetector, eficiență, fotosensibilitate.