CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP

Vasile BOTNARIUC, Petru GAŞIN, Leonid GORCEAC, Ion INCULEŢ, Boris CINIC, Andrei COVAL, Simion RAEVSCHI Universitatea de Stat din Moldova

Rezumat

Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fără strat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predomină procesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISC până la 28,2 mA·cm-2, UCD până la 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei până la 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm. Cuvinte-cheie: heterojoncţiune, celulă fotovoltaică, eficienţă, fotosensibilitate.