CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIUNE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI

Vasile BOTNARIUC, Petru GAŞIN, Leonid GORCEAC, Boris CINIC, Andrei COVAL, Simion RAEVSCHI Universitatea de Stat din Moldova

Rezumat

Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că depunerea stratului intermediar măreşte fotosensibilitatea homostructurilor cu 15…20%. Eficienţa energetică a CF cu structura n+CdS-n+InP-p-InP-p+InP constituie 13,5% pentru fluxul luminos incident de 100 mWcm-2. Eficienţa CF cu heterostructura nCdS-pInP şi cu strat intermediar similar creşte cu 27%, în comparaţie cu CF cu homostructura n-p--pInP şi cu strat frontal nCdS, având valoarea de 17,3%. Se conturează posibilitatea reală de mărire a eficienţei CF de acest tip. Cuvinte-cheie: homojoncţiune, heterojoncţiune, celulă fotovolaică, eficienţă, fotosensibilitate, fosfură de indiu, sulfură de cadmiu.