MODELAREA FUNCŢIONĂRII DIODEI SEMICONDUCTOARE PENTRU CAZUL UNIDIMENSIONAL

Galina SPRINCEAN Universitatea de Stat din Moldova

Rezumat

Problema constă în determinarea parametrilor pentru o diodă semiconductoare. Formularea matematică a problemei se bazează pe modelul Drift-Diffusion. Modelul este dat de un set de ecuații descris cu ajutorul a trei funcții necunoscute: φ – potențialul electrostatic, n, p – concentrațiile de electroni și găuri, respectiv. Numeric, problema este rezolvată folosind discretizarea Scharfetter-Gummel, a algoritmilor metodelor Gradienților BI-Conjugați și Gauss-Jordan. Deoarece ecuațiile sunt neliniare, se aplică o procedură iterativă, care constă în creșterea treptată a tensiunii exterioare, aplicată anodului. Soluțiile obținute sunt utilizate pentru liniarizarea ecuațiilor. Cuvinte-cheie: modelare numerică, model Drift-Diffusion, discretizare Scharfetter-Gummel, metoda Gradienților BIConjugați.