SINTEZA ȘI MORFOLOGIA STRUCTURILOR β-Ga2O3-Ga2S3

Veaceslav SPRINCEAN Universitatea de Stat din Moldova

Rezumat

Prin tratament termic (TT) la temperatura de 970 K, 1070 K și 1170 K timp de 6 ore a nanocristalelor Ga2S3, suprafața acestora se acoperă cu un strat de oxid Ga2O3, structura și grosimea cărora depind de durata TT. Stratul de oxid este compus din nanoformațiuni insulare poroase, care sunt alcătuite din nanofire și nanocristalite. Dimensiunile nanocristalitelor se micșorează la majorarea temperaturii de călire de la 1070 K la 1170 K. Cuvinte-cheie: tratament termic, nanoformațiuni insulare poroase, nanofire, nanocristalite, morfologia suprafeței structurale oxid-semiconductor.