ПАДЕНИЕ ФОНОННОЙ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ В СЕГМЕНТИРОВАННЫХ Si/Ge НАНОНИТЯХ

Калина ИСАКОВА Молдавский государственный университет

Аннотация

Выполнены теоретические исследования фононного теплового потока в Si/Ge сегментированных нанонитях. Энергетический спектр фононов был рассчитан в рамках модели молекулярной динамики колебаний решетки “face-centered cubic cell”. Решеточная теплопроводность была рассчитана с помощью транспортного уравнения Больмана. Рост локализации фононов, обусловленный перестройкой энергетического спектра, приводит к сущест- венному падению решеточной теплопроводности в сегментированных нанонитях по сравнению с обычными нанонитями. Этот эффект связан с исключением из теплового транспорта захваченных фононных мод. Как следствие, прогнозируется падение фононного теплового потока в широком диапазоне температур для сегментированных нанонитей. Полученные результаты показывают, что сегментированные нанонити являются перспективными для термоэлектрических применений. Ключевые слова: фононы, сегментированные нанонити, кремний, теплопроводность.