ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ Si/SiO2

Калина ИСАКОВА, Денис НИКА, Евгений ПОКАТИЛОВ Лаборатория физики многослойных структур и молекулярного магнетизма

Rezumat

În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediul dielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstrat că nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiată dependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale.